DHR4E4B101K2BB متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DHR4E4B101K2BB، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DHR4E4B101K2BB عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DHR4E4B101K2BB مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DHR4E4B101K2BB
- رقم القطعة:
- DHR4E4B101K2BB
- الصانع:
- Murata Electronics
- وصف:
- CAP CER 100PF 12KV ZM RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24820 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DHR4E4B101K2BB.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 12000V (12kV) |
| تسامح: | ±10% |
| سمك (ماكس): | - |
| معامل درجة الحرارة: | ZM |
| حجم / البعد: | 0.315" Dia (8.00mm) |
| سلسلة: | DHR |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial, Disc |
| درجة حرارة التشغيل: | -25°C ~ 100°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| قيادي نمط: | Straight |
| تباعد الرصاص: | 0.374" (9.50mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.472" (12.00mm) |
| الميزات: | High Voltage |
| وصف تفصيلي: | 100pF ±10% 12000V (12kV) Ceramic Capacitor ZM Radial, Disc |
| مواسعة: | 100pF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDHR4E4B101K2BB
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار