DHG5I600PA متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DHG5I600PA، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DHG5I600PA عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DHG5I600PA مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DHG5I600PA
- رقم القطعة:
- DHG5I600PA
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49847 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DHG5I600PA.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.2V @ 5A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AC |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 35ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-2 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 600V 5A Through Hole TO-220AC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 5A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDHG5I600PA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DHG40C600HB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247AD | تحقيق |
 |
DHG30IM600PC | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 30A TO263 | تحقيق |
|
DHG60I1200HA | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD | تحقيق |
 |
DHG20C600QB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 10A TO3P | تحقيق |
 |
DHG20C600PB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB | تحقيق |
 |
DHG30I1200HA | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | تحقيق |
|
DHG60I600HA | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247 | تحقيق |
|
DHG30I600HA | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 | تحقيق |
|
DHG20I600HA | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 20A TO247 | تحقيق |
 |
DHG5I600PM | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP | تحقيق |
|
DHG20I1200HA | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO247 | تحقيق |
 |
DHG20I1200PA | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC | تحقيق |
|
DHG40C1200HB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 20A TO247AD | تحقيق |
|
DHG40C600PB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220AB | تحقيق |
 |
DHG50X600NA | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 50A SOT227B | تحقيق |
|
DHG50X1200NA | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 25A SOT227B | تحقيق |
|
DHG20C1200PB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 10A TO220AB | تحقيق |
|
DHG60C600HB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247AD | تحقيق |
|
DHG30I600PA | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC | تحقيق |
|
DHG20I600PA | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU