DG528EWN+T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DG528EWN+T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DG528EWN+T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DG528EWN+T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DG528EWN+T
- رقم القطعة:
- DG528EWN+T
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC MULTIPLEXER 8X1 18SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26311 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DG528EWN+T.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 5 V ~ 30 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | ±4.5 V ~ 20 V |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 1.5µs, 1.5µs |
| تبديل الدائرة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | 18-SOIC |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 450 Ohm |
| عدد الدوائر: | 1 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 8:1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | 1 Circuit IC Switch 8:1 450 Ohm 18-SOIC |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 5nA |
| الحديث المتبادل: | - |
| شحن الحقن: | 4pC |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | 27 Ohm |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | 5pF, 25pF |
| رقم جزء القاعدة: | DG528 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDG528EWN+T
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار