DG2032DN-T1-E4 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DG2032DN-T1-E4، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DG2032DN-T1-E4 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DG2032DN-T1-E4 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DG2032DN-T1-E4
- رقم القطعة:
- DG2032DN-T1-E4
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- IC SWITCH DUAL CMOS 12QFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 33279 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DG2032DN-T1-E4.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 1.8 V ~ 5.5 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | - |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 53ns, 38ns |
| تبديل الدائرة: | SPDT |
| تجار الأجهزة حزمة: | 12-QFN (3x3) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 12-VFQFN Exposed Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 5 Ohm |
| عدد الدوائر: | 2 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 2:1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | 2 Circuit IC Switch 2:1 5 Ohm 12-QFN (3x3) |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 1nA |
| الحديث المتبادل: | -82dB @ 1MHz |
| شحن الحقن: | 38pC |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | 400 mOhm (Max) |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | 15pF |
| رقم جزء القاعدة: | DG2032 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDG2032DN-T1-E4
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS