DFNA100-1T5 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DFNA100-1T5، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DFNA100-1T5 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DFNA100-1T5 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DFNA100-1T5
- رقم القطعة:
- DFNA100-1T5
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- RES NETWORK 4 RES MULT OHM 8VDFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36580 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DFNA100-1T5.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±0.1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±25ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm) |
| سلسلة: | DFN Divider |
| المقاوم نسبة-الانجراف: | ±5 ppm/°C |
| نسبة مطابقة المقاوم: | ±0.05% |
| المقاومة (أوم): | 1k, 100k |
| قوة لكل عنصر: | 50mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-VDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | DFNA-100K/1KTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من المقاومات: | 4 |
| عدد من الدبابيس: | 8 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.035" (0.90mm) |
| وصف تفصيلي: | 1k, 100k Ohm ±0.1% 50mW Power Per Element Voltage Divider 4 Resistor Network/Array ±25ppm/°C 8-VDFN Exposed Pad |
| الدائرة نوع: | Voltage Divider |
| التطبيقات: | Voltage Divider (TCR Matched) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDFNA100-1T5
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC