DFE252008C-1R0M=P2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DFE252008C-1R0M=P2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DFE252008C-1R0M=P2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DFE252008C-1R0M=P2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DFE252008C-1R0M=P2
- رقم القطعة:
- DFE252008C-1R0M=P2
- الصانع:
- Murata Electronics
- وصف:
- FIXED IND 1UH 2.3A 91 MOHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 31944 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DFE252008C-1R0M=P2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1008 (2520 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | DFE252008C |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 1008 (2520 Metric) |
| اسماء اخرى: | 490-10628-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Iron Powder |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 1MHz |
| الحث: | 1µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.032" (0.80mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 1µH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 91 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 91 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 2.3A |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDFE252008C-1R0M=P2
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل