DF650R17IE4BOSA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DF650R17IE4BOSA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DF650R17IE4BOSA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DF650R17IE4BOSA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DF650R17IE4BOSA1
- رقم القطعة:
- DF650R17IE4BOSA1
- وصف:
- MOD IGBT 650A PRIME2-1
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22573 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DF650R17IE4BOSA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1700V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.45V @ 15V, 650A |
| تجار الأجهزة حزمة: | Module |
| سلسلة: | PrimePack™2 |
| السلطة - ماكس: | 4150W |
| حزمة / كيس: | Module |
| اسماء اخرى: | DF650R17IE4 SP000614728 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C |
| NTC الثرمستور: | Yes |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 54nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Single 1700V 930A 4150W Chassis Mount Module |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 5mA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 930A |
| ترتيب: | Single |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDF650R17IE4BOSA1
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي