DEHR32E222KA2B متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DEHR32E222KA2B، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DEHR32E222KA2B عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DEHR32E222KA2B مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DEHR32E222KA2B
- رقم القطعة:
- DEHR32E222KA2B
- الصانع:
- Murata Electronics
- وصف:
- CAP CER 2200PF 250V RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 58247 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.DEHR32E222KA2B.pdf2.DEHR32E222KA2B.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 250V |
| تسامح: | ±10% |
| سمك (ماكس): | - |
| معامل درجة الحرارة: | R |
| حجم / البعد: | 0.315" Dia (8.00mm) |
| سلسلة: | DEH |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial, Disc |
| درجة حرارة التشغيل: | -25°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| قيادي نمط: | Formed Leads |
| تباعد الرصاص: | 0.197" (5.00mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.433" (11.00mm) |
| الميزات: | High Voltage, Low Dissipation Factor |
| وصف تفصيلي: | 2200pF ±10% 250V Ceramic Capacitor R Radial, Disc |
| مواسعة: | 2200pF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDEHR32E222KA2B
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي