DDTC124EUA-7-F متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DDTC124EUA-7-F، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DDTC124EUA-7-F عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DDTC124EUA-7-F مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DDTC124EUA-7-F
- رقم القطعة:
- DDTC124EUA-7-F
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40838 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DDTC124EUA-7-F.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 100mA |
| الجهد - انهيار: | SOT-323 |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 50V |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم): | 22k |
| المقاوم - قاعدة (R1) (أوم): | 250MHz |
| السلطة - ماكس: | 200mW |
| الاستقطاب: | SC-70, SOT-323 |
| اسماء اخرى: | DDTC124EUA-7-F-ND DDTC124EUA-7-FDITR DDTC124EUA-7-FDITR-ND DDTC124EUA-7FDITR DDTC124EUA7F |
| الضوضاء الشكل (ديسيبل الطباع @ و): | 22k |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DDTC124EUA-7-F |
| تردد - تحول: | 56 @ 5mA, 5V |
| وصف موسع: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323 |
| وصف: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 500nA |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 300mV @ 500µA, 10mA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | NPN - Pre-Biased |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDDTC124EUA-7-F
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل