DC1390-473K متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DC1390-473K، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DC1390-473K عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DC1390-473K مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DC1390-473K
- رقم القطعة:
- DC1390-473K
- الصانع:
- API Delevan
- وصف:
- FIXED IND 47UH 11.5A 18 MOHM TH
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 26203 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DC1390-473K.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±10% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 1.480" Dia (37.60mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | DC1390 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial |
| اسماء اخرى: | DC1390-473K 100 BULK |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 1kHz |
| الحث: | 47µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 1.064" (27.03mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 47µH Unshielded Inductor 11.5A 18 mOhm Max Radial |
| DC المقاومة (DCR): | 18 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 11.5A |
| الحالي - التشبع: | 20A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDC1390-473K
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DC1390-335K | API Delevan | FIXED IND 3.3MH 1.76A 773 MOHM | تحقيق |
|
DC1390-683K | API Delevan | FIXED IND 68UH 10.7A 21 MOHM TH | تحقيق |
|
DC1390-684K | API Delevan | FIXED IND 680UH 4.14A 139 MOHM | تحقيق |
|
DC1390-333K | API Delevan | FIXED IND 33UH 14.7A 11 MOHM TH | تحقيق |
|
DC1390-273K | API Delevan | FIXED IND 27UH 15.4A 10 MOHM TH | تحقيق |
|
DC1390-225K | API Delevan | FIXED IND 2.2MH 2.2A 494 MOHM TH | تحقيق |
|
DC1390R-124K | API Delevan | FIXED IND 120UH 9.23A 28 MOHM TH | تحقيق |
|
DC1390-393K | API Delevan | FIXED IND 39UH 14.1A 12 MOHM TH | تحقيق |
|
DC1390-564K | API Delevan | FIXED IND 560UH 4.37A 125 MOHM | تحقيق |
|
DC1390-275K | API Delevan | FIXED IND 2.7MH 2.07A 555 MOHM | تحقيق |
|
DC1390R-105K | API Delevan | FIXED IND 1MH 3.32A 216 MOHM TH | تحقيق |
|
DC1390-334K | API Delevan | FIXED IND 330UH 5.67A 74 MOHM TH | تحقيق |
|
DC1390-823K | API Delevan | FIXED IND 82UH 10.2A 23 MOHM TH | تحقيق |
|
DC1390-394K | API Delevan | FIXED IND 390UH 5.39A 82 MOHM TH | تحقيق |
|
DC1390-395K | API Delevan | FIXED IND 3.9MH 1.68A 845 MOHM | تحقيق |
|
DC1390-563K | API Delevan | FIXED IND 56UH 11.2A 19 MOHM TH | تحقيق |
|
DC1390-824K | API Delevan | FIXED IND 820UH 3.93A 154 MOHM | تحقيق |
|
DC1390-474K | API Delevan | FIXED IND 470UH 4.57A 114 MOHM | تحقيق |
|
DC1390-274K | API Delevan | FIXED IND 270UH 6.52A 56 MOHM TH | تحقيق |
|
DC1390R-104K | API Delevan | FIXED IND 100UH 9.76A 25 MOHM TH | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل