DA3S101K0L متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DA3S101K0L، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DA3S101K0L عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DA3S101K0L مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DA3S101K0L
- رقم القطعة:
- DA3S101K0L
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA SSMINI3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 58019 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DA3S101K0L.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.2V @ 100mA |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 80V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SSMini3-F3-B |
| سرعة: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 3ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-89, SOT-490 |
| اسماء اخرى: | DA3S101K0LTR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 150°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 80V 100mA (DC) Surface Mount SSMini3-F3-B |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100nA @ 80V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 100mA (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
| رقم جزء القاعدة: | DA3S101 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDA3S101K0L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DA3J101F0L | Panasonic | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMINI3 | تحقيق |
 |
DA3S101F0L | Panasonic | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSMINI3 | تحقيق |
 |
DA3X101J0L | Panasonic | DIODE ARRAY GP 80V 150MA SC59-3 | تحقيق |
|
DA3X108K0L | Panasonic | DIODE GEN PURP 300V 100MA MINI3 | تحقيق |
 |
DA3X101A0L | Panasonic | DIODE GEN PURP 80V 100MA MINI3 | تحقيق |
|
DA3S103E0L | Panasonic | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSMINI3 | تحقيق |
|
DA3S101J0L | Panasonic | DIODE ARRAY GP 80V 150MA SC89 | تحقيق |
 |
DA3X101F0L | Panasonic | DIODE ARRAY GP 80V 100MA MINI3 | تحقيق |
 |
DA3J103E0L | Panasonic | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMINI3 | تحقيق |
|
DA3J107K0L | Panasonic | DIODE GEN PURP 300V 100MA SMINI3 | تحقيق |
|
DA3X101K0L | Panasonic | DIODE GEN PURP 80V 100MA MINI3 | تحقيق |
|
DA3S101A0L | Panasonic | DIODE GEN PURP 80V 100MA SSMINI3 | تحقيق |
|
DA3X103E0L | Panasonic | DIODE ARRAY GP 80V 100MA MINI3 | تحقيق |
|
DA3J101K0L | Panasonic | DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI3 | تحقيق |
|
DA3S102D0L | Panasonic | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSMINI3 | تحقيق |
|
DA3X107K0L | Panasonic | DIODE GEN PURP 300V 100MA MINI3 | تحقيق |
|
DA3J102D0L | Panasonic | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMINI3 | تحقيق |
|
DA3J101J0L | Panasonic | DIODE ARRAY GP 80V 150MA SMINI3 | تحقيق |
|
DA3X102D0L | Panasonic | DIODE ARRAY GP 80V 100MA MINI3 | تحقيق |
|
DA3J104F0L | Panasonic | DIODE ARRAY GP 80V 200MA SMINI3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل