CYDD18S72V18-200BBXC متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CYDD18S72V18-200BBXC، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CYDD18S72V18-200BBXC عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CYDD18S72V18-200BBXC مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CYDD18S72V18-200BBXC
- رقم القطعة:
- CYDD18S72V18-200BBXC
- الصانع:
- Cypress Semiconductor
- وصف:
- IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41184 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CYDD18S72V18-200BBXC.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | - |
| الجهد - توريد: | 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V |
| تكنولوجيا: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| تجار الأجهزة حزمة: | 256-FBGA (17x17) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 256-LBGA |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 5 (48 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| حجم الذاكرة: | 18Mb (256K x 36 x 2, 256K x 72) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (256K x 36 x 2, 256K x 72) Parallel 200MHz 500ps 256-FBGA (17x17) |
| تردد على مدار الساعة: | 200MHz |
| رقم جزء القاعدة: | CYDD |
| وقت الدخول: | 500ps |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCYDD18S72V18-200BBXC
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل