CY7C4121KV13-633FCXI متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CY7C4121KV13-633FCXI، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CY7C4121KV13-633FCXI عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CY7C4121KV13-633FCXI مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CY7C4121KV13-633FCXI
- رقم القطعة:
- CY7C4121KV13-633FCXI
- الصانع:
- Cypress Semiconductor
- وصف:
- IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 54282 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CY7C4121KV13-633FCXI.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | - |
| الجهد - توريد: | 1.26 V ~ 1.34 V |
| تكنولوجيا: | SRAM - Synchronous, QDR IV |
| تجار الأجهزة حزمة: | 361-FCBGA (21x21) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 361-BBGA, FCBGA |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| حجم الذاكرة: | 144Mb (8M x 18) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | SRAM - Synchronous, QDR IV Memory IC 144Mb (8M x 18) Parallel 633MHz 361-FCBGA (21x21) |
| تردد على مدار الساعة: | 633MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCY7C4121KV13-633FCXI
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU