CY7C1480BV25-200BZC متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CY7C1480BV25-200BZC، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CY7C1480BV25-200BZC عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CY7C1480BV25-200BZC مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CY7C1480BV25-200BZC
- رقم القطعة:
- CY7C1480BV25-200BZC
- الصانع:
- Cypress Semiconductor
- وصف:
- IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 44861 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CY7C1480BV25-200BZC.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | - |
| الجهد - توريد: | 2.375 V ~ 2.625 V |
| تكنولوجيا: | SRAM - Synchronous |
| تجار الأجهزة حزمة: | 165-FBGA (15x17) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 165-LBGA |
| اسماء اخرى: | CY7C1480BV25200BZC |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| حجم الذاكرة: | 72Mb (2M x 36) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | SRAM - Synchronous Memory IC 72Mb (2M x 36) Parallel 200MHz 3ns 165-FBGA (15x17) |
| تردد على مدار الساعة: | 200MHz |
| رقم جزء القاعدة: | CY7C1480 |
| وقت الدخول: | 3ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCY7C1480BV25-200BZC
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار