CWR29JB335KCEC متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CWR29JB335KCEC، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CWR29JB335KCEC عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CWR29JB335KCEC مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CWR29JB335KCEC
- رقم القطعة:
- CWR29JB335KCEC
- الصانع:
- AVX Corporation
- وصف:
- CAP TANT 3.3UF 10% 20V 2010
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53164 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CWR29JB335KCEC.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 20V |
| اكتب: | Molded |
| تسامح: | ±10% |
| حجم / البعد: | 0.200" L x 0.100" W (5.08mm x 2.54mm) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-55365/11, CWR29 |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 2010 (5125 Metric) |
| اسماء اخرى: | 1010-1128 1010-1128-MIL TAZE335K020LBMC0945 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| مصنع رمز حجم: | E |
| عمر @ درجة الحرارة.: | - |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.065" (1.65mm) |
| الميزات: | Military |
| معدل الفشل: | C (0.01%) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 1.2 Ohm |
| وصف تفصيلي: | 3.3µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2010 (5125 Metric) 1.2 Ohm |
| مواسعة: | 3.3µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCWR29JB335KCEC
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل