CW252016-R39J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CW252016-R39J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CW252016-R39J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CW252016-R39J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CW252016-R39J
- رقم القطعة:
- CW252016-R39J
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- FIXED IND 390NH 400MA 1.12 OHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45573 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CW252016-R39J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1008 (2520 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | CW252016 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 45 @ 100MHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 1008 (2520 Metric) |
| اسماء اخرى: | CW252016-R39J-ND CW252016-R39JTR CW252016R39J |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ceramic |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 25MHz |
| الحث: | 390nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.071" (1.80mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 500MHz |
| وصف تفصيلي: | 390nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 1.12 Ohm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 1.12 Ohm Max |
| التصويت الحالي: | 400mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCW252016-R39J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CW252016-R68J | Bourns, Inc. | FIXED IND 680NH 400MA 1.55 OHM | تحقيق |
 |
CW28B0642 | Leader Tech Inc. | FERRITE 100OHM HINGED 7.60MM | تحقيق |
|
CW252016-R22J | Bourns, Inc. | FIXED IND 220NH 500MA 840 MOHM | تحقيق |
|
CW252016-R47J | Bourns, Inc. | FIXED IND 470NH 470MA 1.19 OHM | تحقيق |
|
CW252016-R18J | Bourns, Inc. | FIXED IND 180NH 500MA 770 MOHM | تحقيق |
|
CW252016-R33G | Bourns, Inc. | FIXED IND 330NH 500MA 1.05 OHM | تحقيق |
|
CW252016-R15J | Bourns, Inc. | FIXED IND 150NH 500MA 700 MOHM | تحقيق |
|
CW252016-R47G | Bourns, Inc. | FIXED IND 470NH 470MA 1.19 OHM | تحقيق |
|
CW252016-R68G | Bourns, Inc. | FIXED IND 680NH 400MA 1.55 OHM | تحقيق |
|
CW252016-R27J | Bourns, Inc. | FIXED IND 270NH 500MA 910 MOHM | تحقيق |
|
CW252016-R33J | Bourns, Inc. | FIXED IND 330NH 500MA 1.05 OHM | تحقيق |
|
CW252016-R15G | Bourns, Inc. | FIXED IND 150NH 500MA 700 MOHM | تحقيق |
|
CW252016-R39G | Bourns, Inc. | FIXED IND 390NH 400MA 1.12 OHM | تحقيق |
|
CW252016-R39K | Bourns, Inc. | FIXED IND 390NH 400MA 1.12 OHM | تحقيق |
|
CW252016-R27G | Bourns, Inc. | FIXED IND 270NH 500MA 910 MOHM | تحقيق |
|
CW252016-R82G | Bourns, Inc. | FIXED IND 820NH 360MA 2.3 OHM | تحقيق |
|
CW252016-R18G | Bourns, Inc. | FIXED IND 180NH 500MA 770 MOHM | تحقيق |
|
CW252016-R56J | Bourns, Inc. | FIXED IND 560NH 400MA 1.33 OHM | تحقيق |
|
CW252016-R82J | Bourns, Inc. | FIXED IND 820NH 360MA 2.3 OHM | تحقيق |
|
CW252016-R56G | Bourns, Inc. | FIXED IND 560NH 400MA 1.33 OHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل