CURMT107-HF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CURMT107-HF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CURMT107-HF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CURMT107-HF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CURMT107-HF
- رقم القطعة:
- CURMT107-HF
- الصانع:
- Comchip Technology
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123H
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38937 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CURMT107-HF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.7V @ 1A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1000V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOD-123H |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 75ns |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SOD-123H |
| اسماء اخرى: | 641-1456-1 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 1000V 1A Surface Mount SOD-123H |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 1000V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| رقم جزء القاعدة: | CURMT107 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCURMT107-HF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CURMT103-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123H | تحقيق |
 |
CURM101-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 1A MINISMA | تحقيق |
|
CURMT102-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123H | تحقيق |
 |
CURN103-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A 1206 | تحقيق |
|
CURMT106-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123H | تحقيق |
|
CURM105-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A MINISMA | تحقيق |
 |
CURM107-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 1A MINISMA | تحقيق |
|
CURN102-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A 1206 | تحقيق |
|
CURM102-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 1A MINISMA | تحقيق |
|
CURMT101-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123H | تحقيق |
 |
CURM103-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A MINISMA | تحقيق |
|
CURN105-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 1A 1206 | تحقيق |
|
CURN104-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 1A 1206 | تحقيق |
|
CURN101-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A 1206 | تحقيق |
|
CURMT105-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123H | تحقيق |
|
CURM106-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 1A MINISMA | تحقيق |
|
CURM104-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A MINISMA | تحقيق |
|
CURMT104-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123H | تحقيق |
 |
CURC306-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB | تحقيق |
|
CURC307-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار