CURMT106-HF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CURMT106-HF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CURMT106-HF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CURMT106-HF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CURMT106-HF
- رقم القطعة:
- CURMT106-HF
- الصانع:
- Comchip Technology
- وصف:
- DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123H
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29239 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CURMT106-HF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1A (DC) |
| الجهد - انهيار: | SOD-123H |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | 70pF @ 4V, 1MHz |
| الاستقطاب: | SOD-123H |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 75ns |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | CURMT106-HF |
| وصف موسع: | Diode Standard 800V 1A (DC) Surface Mount SOD-123H |
| تكوين الصمام الثنائي: | 5µA @ 800V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123H |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.7V @ 1A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 800V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCURMT106-HF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CURC306-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB | تحقيق |
 |
CURM106-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 1A MINISMA | تحقيق |
|
CURC307-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB | تحقيق |
 |
CURN102-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A 1206 | تحقيق |
 |
CURMT105-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123H | تحقيق |
|
CURN104-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 1A 1206 | تحقيق |
|
CURM101-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 1A MINISMA | تحقيق |
|
CURN105-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 1A 1206 | تحقيق |
|
CURN103-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A 1206 | تحقيق |
|
CURMT103-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123H | تحقيق |
|
CURMT104-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123H | تحقيق |
|
CURN101-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A 1206 | تحقيق |
 |
CURM107-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 1A MINISMA | تحقيق |
 |
CURM103-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A MINISMA | تحقيق |
|
CURM105-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A MINISMA | تحقيق |
|
CURMT101-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123H | تحقيق |
|
CURM102-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 1A MINISMA | تحقيق |
|
CURMT107-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123H | تحقيق |
|
CURM104-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A MINISMA | تحقيق |
|
CURMT102-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123H | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق