CUR3105UT-A متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CUR3105UT-A، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CUR3105UT-A عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CUR3105UT-A مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CUR3105UT-A
- رقم القطعة:
- CUR3105UT-A
- الصانع:
- Micronas
- وصف:
- TO92-UT
- كمية المخزون:
- 32943 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CUR3105UT-A.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| سلسلة: | - |
| نوع الاستشعار: | Hall Effect, Open Loop |
| حساسية: | - |
| وقت الاستجابة: | 3ms |
| الاستقطاب: | - |
| حزمة / كيس: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| الناتج: | Ratiometric, Voltage |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 170°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| الخطي: | ±0.5% |
| تردد: | 1kHz |
| لقياس: | AC/DC |
| وصف تفصيلي: | TO92-UT |
| الحالي - توريد (ماكس): | 10mA |
| الحالي - الاستشعار: | Programmable |
| دقة: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCUR3105UT-A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CURB201-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | تحقيق |
 |
CURC305-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | تحقيق |
 |
CURA103-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | تحقيق |
|
CURC301-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB | تحقيق |
|
CURB206-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA | تحقيق |
|
CURC306-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB | تحقيق |
|
CURC304-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB | تحقيق |
|
CURB204-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | تحقيق |
|
CURB207-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA | تحقيق |
 |
CUR3115DZ-A | Micronas | SOIC8 | تحقيق |
|
CURB202-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | تحقيق |
 |
CURM101-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 1A MINISMA | تحقيق |
|
CURB205-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | تحقيق |
|
CURC302-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | تحقيق |
 |
CURA107-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC | تحقيق |
|
CURA104-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | تحقيق |
|
CURA107-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC | تحقيق |
|
CURC303-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | تحقيق |
|
CURC307-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB | تحقيق |
|
CURB203-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM