CSFM101-G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CSFM101-G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CSFM101-G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CSFM101-G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CSFM101-G
- رقم القطعة:
- CSFM101-G
- الصانع:
- Comchip Technology
- وصف:
- DIODE GEN PURP 50V 1A MINISMA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25096 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CSFM101-G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1A |
| الجهد - انهيار: | Mini SMA/SOD-123 |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | 10pF @ 4V, 1MHz |
| الاستقطاب: | SOD-123T |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 35ns |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | CSFM101-G |
| وصف موسع: | Diode Standard 50V 1A Surface Mount Mini SMA/SOD-123 |
| تكوين الصمام الثنائي: | 5µA @ 50V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 50V 1A MINISMA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 950mV @ 1A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 50V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCSFM101-G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CSFB201-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | تحقيق |
|
CSFB202-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | تحقيق |
|
CSFB203-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | تحقيق |
 |
CSFMT104-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123H | تحقيق |
|
CSFMT106-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123H | تحقيق |
|
CSFMT105-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 300V 1A SOD123H | تحقيق |
 |
CSFM103-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A MINISMA | تحقيق |
 |
CSFC302-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | تحقيق |
|
CSFMT101-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123H | تحقيق |
|
CSFC304-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB | تحقيق |
|
CSFM105-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A MINISMA | تحقيق |
|
CSFMT102-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123H | تحقيق |
|
CSFC305-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | تحقيق |
|
CSFMT103-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 150V 1A SOD123H | تحقيق |
|
CSFM104-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A MINISMA | تحقيق |
 |
CSFB205-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | تحقيق |
|
CSFB204-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | تحقيق |
|
CSFC301-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB | تحقيق |
 |
CSFM102-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 1A MINISMA | تحقيق |
|
CSFC303-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل