CSD88584Q5DCT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CSD88584Q5DCT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CSD88584Q5DCT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CSD88584Q5DCT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CSD88584Q5DCT
- رقم القطعة:
- CSD88584Q5DCT
- الصانع:
- TI
- وصف:
- MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56724 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CSD88584Q5DCT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.3V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | 22-VSON-CLIP (5x6) |
| سلسلة: | NexFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 0.95 mOhm @ 30A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 12W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 22-PowerTFDFN |
| اسماء اخرى: | 296-46923-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 35 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 12400pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 88nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 40V 12W Surface Mount 22-VSON-CLIP (5x6) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCSD88584Q5DCT
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار