CS1206JKNPOCBN470 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CS1206JKNPOCBN470، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CS1206JKNPOCBN470 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CS1206JKNPOCBN470 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CS1206JKNPOCBN470
- رقم القطعة:
- CS1206JKNPOCBN470
- الصانع:
- Yageo
- وصف:
- CAP CER 47PF 1KV NPO 1206
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57908 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CS1206JKNPOCBN470.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 1000V (1kV) |
| تسامح: | ±5% |
| سمك (ماكس): | 0.057" (1.45mm) |
| معامل درجة الحرارة: | C0G, NP0 |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| سلسلة: | CS |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 1206 (3216 Metric) |
| اسماء اخرى: | 311-3641-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount, MLCC |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| قيادي نمط: | - |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | Soft Termination |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 47pF ±5% 1000V (1kV) Ceramic Capacitor C0G, NP0 1206 (3216 Metric) |
| مواسعة: | 47pF |
| التطبيقات: | Boardflex Sensitive |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCS1206JKNPOCBN470
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CS1206JKNPOCBN221 | Yageo | CAP CER 220PF 1KV NPO 1206 | تحقيق |
|
CS1206JKNPOCBN330 | Yageo | CAP CER 33PF 1KV NPO 1206 | تحقيق |
|
CS1206JKNPOCBN121 | Yageo | CAP CER 120PF 1KV NPO 1206 | تحقيق |
 |
CS11ZU2GA472MYVKA | TDK Corporation | CAP CER 4700PF 440VAC Z5U RADIAL | تحقيق |
 |
CS11ZU2GA472MYNKA | TDK Corporation | CAP CER 4700PF 300VAC Z5U RADIAL | تحقيق |
|
CS1206JKNPOZBN101 | Yageo | CAP CER 100PF 630V NPO 1206 | تحقيق |
 |
CS12-F2GA472MYNS | TDK Corporation | CAP CER 4700PF 250VAC RADIAL | تحقيق |
|
CS1206JKNPOZBN471 | Yageo | CAP CER 470PF 630V NPO 1206 | تحقيق |
|
CS1206JKNPOCBN471 | Yageo | CAP CER 470PF 1KV NPO 1206 | تحقيق |
|
CS1206JKNPODBN101 | Yageo | CAP CER 100PF 2KV NPO 1206 | تحقيق |
|
CS1206JKX7RZBB103 | Yageo | CAP CER 10000PF 630V X7R 1206 | تحقيق |
|
CS12-F2GA472MYGS | TDK Corporation | CAP CER 4700PF 250VAC RADIAL | تحقيق |
|
CS1206JKNPOZBN331 | Yageo | CAP CER 330PF 630V NPO 1206 | تحقيق |
|
CS1206JKNPOZBN221 | Yageo | CAP CER 220PF 630V NPO 1206 | تحقيق |
|
CS11ZU2GA472MAVKA | TDK Corporation | CAP CER 4700PF 300V Z5U RADIAL | تحقيق |
|
CS1206JKNPODBN470 | Yageo | CAP CER 47PF 2KV NPO 1206 | تحقيق |
|
CS1206JKNPOCBN101 | Yageo | CAP CER 100PF 1KV NPO 1206 | تحقيق |
|
CS1206JKNPODBN220 | Yageo | CAP CER 22PF 2KV NPO 1206 | تحقيق |
 |
CS11ZU2GA472MYGKA | TDK Corporation | CAP CER 4700PF 300VAC Z5U RADIAL | تحقيق |
|
CS1206JKX7RZBB102 | Yageo | CAP CER 1000PF 630V X7R 1206 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل