CRE1S2405SC متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CRE1S2405SC، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CRE1S2405SC عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CRE1S2405SC مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CRE1S2405SC
- رقم القطعة:
- CRE1S2405SC
- الصانع:
- Murata Power Solutions
- وصف:
- DC DC CONVERTER 5V 1W
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50662 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CRE1S2405SC.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - المخرج 3: | - |
| الجهد - الناتج 2: | - |
| الجهد - الناتج 1: | 5V |
| الجهد - العزلة: | 1kV |
| الجهد - الإدخال (مين): | 21.6V |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | 26.4V |
| اكتب: | Isolated Module |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.45" L x 0.24" W x 0.30" H (11.5mm x 6.1mm x 7.5mm) |
| سلسلة: | CRE1 |
| السلطة (واتس): | 1W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-SIP Module |
| اسماء اخرى: | 811-3200 |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | Not Applicable |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| كفاءة: | 71% |
| وصف تفصيلي: | Isolated Module DC DC Converter 1 Output 5V 200mA 21.6V - 26.4V Input |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 200mA |
| التطبيقات: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCRE1S2405SC
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC