CRCW12182R00FKEKHP متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CRCW12182R00FKEKHP، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CRCW12182R00FKEKHP عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CRCW12182R00FKEKHP مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CRCW12182R00FKEKHP
- رقم القطعة:
- CRCW12182R00FKEKHP
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- RES SMD 2 OHM 1% 1.5W 1218
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 37331 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CRCW12182R00FKEKHP.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| الجهد - العمل: | 1.5W |
| الجهد - انهيار: | 1218 |
| سمك (ماكس): | ±100ppm/°C |
| حجم / البعد: | 0.122" L x 0.181" W (3.10mm x 4.60mm) |
| سلسلة: | CRCW-HP |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| الاستقطاب: | 1218 (3246 Metric) |
| اسماء اخرى: | 541-2.00ANTR CRCW12182R00FKEKHP-ND CRCW12182R00FKEKHPTR CRCW12182R00FKEKHPTR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 155°C |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CRCW12182R00FKEKHP |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.024" (0.60mm) |
| الميزات: | Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding |
| في FIFO: | 2 |
| وصف موسع: | 2 Ohm ±1% 1.5W Chip Resistor 1218 (3246 Metric) Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thick Film |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±1% |
| وصف: | RES SMD 2 OHM 1% 1.5W 1218 |
| طلاء، نوع السكن: | Thick Film |
| عرض النطاق الترددي: | 2 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCRCW12182R00FKEKHP
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي