CRA12E083560RJTR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CRA12E083560RJTR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CRA12E083560RJTR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CRA12E083560RJTR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CRA12E083560RJTR
- رقم القطعة:
- CRA12E083560RJTR
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- RES ARRAY 4 RES 560 OHM 2012
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29215 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CRA12E083560RJTR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±5% |
| معامل درجة الحرارة: | ±200ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.200" L x 0.120" W (5.08mm x 3.05mm) |
| سلسلة: | CRA12 |
| المقاوم نسبة-الانجراف: | - |
| نسبة مطابقة المقاوم: | - |
| المقاومة (أوم): | 560 |
| قوة لكل عنصر: | 125mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2012, Convex, Long Side Terminals |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 155°C |
| عدد من المقاومات: | 4 |
| عدد من الدبابيس: | 8 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 46 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.028" (0.70mm) |
| وصف تفصيلي: | 560 Ohm ±5% 125mW Power Per Element Isolated 4 Resistor Network/Array ±200ppm/°C 2012, Convex, Long Side Terminals |
| الدائرة نوع: | Isolated |
| التطبيقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCRA12E083560RJTR
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل