CM5441Z161B-00 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CM5441Z161B-00، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CM5441Z161B-00 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CM5441Z161B-00 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CM5441Z161B-00
- رقم القطعة:
- CM5441Z161B-00
- الصانع:
- Laird Technologies
- وصف:
- CMC 75A 2LN 160 OHM TH
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 40415 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - العاصمة: | - |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| حجم / البعد: | 0.540" L x 0.410" W (13.72mm x 10.41mm) |
| سلسلة: | CM |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Vertical, 4 PC Pin |
| اسماء اخرى: | 240-1109 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من خطوط: | 2 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مقاومة @ التردد: | 160 Ohms @ 100MHz |
| ارتفاع (ماكس): | 0.600" (15.24mm) |
| نوع فلتر: | Power Line |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 160 Ohms @ 100MHz 75A DCR 0.3 mOhm |
| دس المقاومة (دكر) (ماكس): | 0.3 mOhm |
| بطاقة سمك (مم): | 75A |
| الموافقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCM5441Z161B-00
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار