CLF10040T-2R2N-H متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CLF10040T-2R2N-H، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CLF10040T-2R2N-H عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CLF10040T-2R2N-H مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CLF10040T-2R2N-H
- رقم القطعة:
- CLF10040T-2R2N-H
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- FIXED IND 2.2UH 7.5A 9.7 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35564 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CLF10040T-2R2N-H.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±30% |
| حجم / البعد: | 0.394" L x 0.382" W (10.00mm x 9.70mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | CLF-H |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 445-9578-2 CLF10040T2R2NH |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 2.2µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.161" (4.10mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 7.5A 9.7 mOhm Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 9.7 mOhm |
| التصويت الحالي: | 7.5A |
| الحالي - التشبع: | 5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCLF10040T-2R2N-H
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CLF10040T-330M-D | TDK Corporation | FIXED IND 33UH 1.7A 80 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-221M | TDK Corporation | FIXED IND 220UH 700MA 520 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-2R2N | TDK Corporation | FIXED IND 2.2UH 5A 9.7 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-220M-D | TDK Corporation | FIXED IND 22UH 2.2A 55 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-3R3N | TDK Corporation | FIXED IND 3.3UH 4.8A 11 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-221M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 220UH 700MA 624 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-331M | TDK Corporation | FIXED IND 330UH 530MA 860 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-2R2N-D | TDK Corporation | FIXED IND 2.2UH 5A 9.7 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-220M-H | TDK Corporation | FIXED IND 22UH 2.7A 55 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-221M-D | TDK Corporation | FIXED IND 220UH 700MA 520 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-221M-H | TDK Corporation | FIXED IND 220UH 880MA 520 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-220M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 22UH 2.2A 66 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-2R2N-CA | TDK Corporation | FIXED IND 2.2UH 5A 12.61 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-330M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 33UH 1.7A 96 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-331M-D | TDK Corporation | FIXED IND 330UH 530MA 860 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-330M-H | TDK Corporation | FIXED IND 33UH 2.2A 80 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-330M | TDK Corporation | FIXED IND 33UH 1.7A 80 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-331M-H | TDK Corporation | FIXED IND 330UH 700MA 860 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-331M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 330UH 530MA 1.032 OHM | تحقيق |
|
CLF10040T-3R3N-CA | TDK Corporation | FIXED IND 3.3UH 4.8A 14.3 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل