CLF10040T-1R0N متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CLF10040T-1R0N، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CLF10040T-1R0N عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CLF10040T-1R0N مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CLF10040T-1R0N
- رقم القطعة:
- CLF10040T-1R0N
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- FIXED IND 1UH 6.3A 5.7 MOHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 34412 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CLF10040T-1R0N.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±30% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.394" L x 0.382" W (10.00mm x 9.70mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | CLF |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 445-15678-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 1µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.161" (4.10mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 1µH Shielded Wirewound Inductor 6.3A 5.7 mOhm Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 5.7 mOhm |
| التصويت الحالي: | 6.3A |
| الحالي - التشبع: | 12A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCLF10040T-1R0N
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CLF10040T-101M-H | TDK Corporation | FIXED IND 100UH 1.3A 240 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-151M-D | TDK Corporation | FIXED IND 150UH 800MA 380 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-150M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 15UH 2.5A 48 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-1R0N-H | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 12A 5.7 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-150M-D | TDK Corporation | FIXED IND 15UH 2.5A 40 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-220M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 22UH 2.2A 66 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-1R5N | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 5.8A 7.1 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-220M | TDK Corporation | FIXED IND 22UH 2.2A 55 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-1R0N-D | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 6.3A 5.7 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-150M-H | TDK Corporation | FIXED IND 15UH 3.2A 40 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-151M-H | TDK Corporation | FIXED IND 150UH 1A 380 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-1R5N-H | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 10.6A 7.1 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-1R5N-D | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 5.8A 7.1 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-150M | TDK Corporation | FIXED IND 15UH 2.5A 40 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-101M-D | TDK Corporation | FIXED IND 100UH 1A 240 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-151M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 150UH 800MA 456 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-151M | TDK Corporation | FIXED IND 150UH 800MA 380 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-1R5N-CA | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 5.8A 9.23 MOHM | تحقيق |
|
CLF10040T-220M-D | TDK Corporation | FIXED IND 22UH 2.2A 55 MOHM SMD | تحقيق |
|
CLF10040T-1R0N-CA | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 6.3A 7.41 MOHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل