CJD13003 TR13 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CJD13003 TR13، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CJD13003 TR13 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CJD13003 TR13 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CJD13003 TR13
- رقم القطعة:
- CJD13003 TR13
- الصانع:
- Central Semiconductor
- وصف:
- TRANS NPN 700V 1.5A DPAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 52867 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CJD13003 TR13.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 400V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 3V @ 500mA, 1.5A |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 1.56W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | CJD13003 TR13 PBFREE CJD13003 TR13-TR CJD13003 TR13-TR-ND CJD13003TR13-TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 4MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1.5A 4MHz 1.56W Surface Mount DPAK |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 5 @ 1A, 2V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | - |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCJD13003 TR13
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي