CFRA103-G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CFRA103-G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CFRA103-G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CFRA103-G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CFRA103-G
- رقم القطعة:
- CFRA103-G
- الصانع:
- Comchip Technology
- وصف:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47715 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CFRA103-G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.3V @ 1A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-214AC (SMA) |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 150ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-214AC, SMA |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 150°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCFRA103-G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CFR50SJT-52-8R2 | Yageo | RES 5% 1/2W AXIAL | تحقيق |
 |
CFRB204-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | تحقيق |
|
CFR50SJT-52-9K1 | Yageo | RES 5% 1/2W AXIAL | تحقيق |
 |
CFRA104-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | تحقيق |
|
CFR50SJT-52-8K2 | Yageo | RES 5% 1/2W AXIAL | تحقيق |
 |
CFRC304-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB | تحقيق |
|
CFR50SJT-52-910R | Yageo | RES 5% 1/2W AXIAL | تحقيق |
|
CFRA102-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | تحقيق |
|
CFRB205-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | تحقيق |
|
CFRA106-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | تحقيق |
|
CFRB207-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA | تحقيق |
|
CFR50SJT-52-9R1 | Yageo | RES 5% 1/2W AXIAL | تحقيق |
|
CFRA105-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | تحقيق |
|
CFRC303-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | تحقيق |
|
CFR50SJT-52-910K | Yageo | RES 5% 1/2W AXIAL | تحقيق |
|
CFR50SJT-52-91K | Yageo | RES 5% 1/2W AXIAL | تحقيق |
|
CFR50SJT-52-91R | Yageo | RES 5% 1/2W AXIAL | تحقيق |
|
CFRA101-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC | تحقيق |
|
CFRB305-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 3A SMB | تحقيق |
|
CFRA107-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة