CEFB101-G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CEFB101-G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CEFB101-G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CEFB101-G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CEFB101-G
- رقم القطعة:
- CEFB101-G
- الصانع:
- Comchip Technology
- وصف:
- DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48502 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CEFB101-G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1A |
| الجهد - انهيار: | DO-214AA (SMB) |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | DO-214AA, SMB |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 25ns |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | CEFB101-G |
| وصف موسع: | Diode Standard 50V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| تكوين الصمام الثنائي: | 5µA @ 50V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 875mV @ 1A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 50V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCEFB101-G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CEFA201-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC | تحقيق |
|
CEFA101-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC | تحقيق |
|
CEFA103-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | تحقيق |
 |
CEFB201-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | تحقيق |
 |
CEFB204-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | تحقيق |
|
CEFB105-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA | تحقيق |
|
CEFB205-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | تحقيق |
|
CEFB203-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | تحقيق |
|
CEFA105-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | تحقيق |
|
CEFA202-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC | تحقيق |
|
CEFB103-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA | تحقيق |
|
CEFA102-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | تحقيق |
|
CEFA203-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC | تحقيق |
|
CEFB202-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | تحقيق |
|
CEFB104-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA | تحقيق |
 |
CEFC304-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB | تحقيق |
|
CEFB102-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA | تحقيق |
|
CEFC305-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | تحقيق |
|
CEFC303-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | تحقيق |
|
CEFA104-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار