CE83A2029 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CE83A2029، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CE83A2029 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CE83A2029 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CE83A2029
- رقم القطعة:
- CE83A2029
- الصانع:
- Leader Tech Inc.
- وصف:
- FERRITE 190OHM SOLID 10MM
- كمية المخزون:
- 30142 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CE83A2029.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Round |
| سلسلة: | - |
| تصنيفات: | - |
| البعد الخارجي: | 0.866" Dia (22.00mm) |
| تصاعد نوع: | Free Hanging |
| مادة: | CE83 |
| الطول: | 1.280" (32.50mm) |
| البعد الداخلي: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| مقاومة @ التردد: | 190 Ohm @ 100MHz |
| وصف تفصيلي: | Solid Free Hanging Ferrite Core 190 Ohm @ 100MHz ID 0.394" Dia (10.00mm) OD 0.866" Dia (22.00mm) Length 1.280" (32.50mm) |
| تصميم: | Solid |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCE83A2029
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM