CDRH6D38T125NP-5R6NC متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CDRH6D38T125NP-5R6NC، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CDRH6D38T125NP-5R6NC عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CDRH6D38T125NP-5R6NC مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CDRH6D38T125NP-5R6NC
- رقم القطعة:
- CDRH6D38T125NP-5R6NC
- الصانع:
- Sumida Corporation
- وصف:
- FIXED IND 5.6UH 3.5A 30.5 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35754 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CDRH6D38T125NP-5R6NC.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±30% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.264" L x 0.264" W (6.70mm x 6.70mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | CDRH6D38/T125 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 5.6µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.157" (4.00mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 5.6µH Shielded Inductor 3.5A 30.5 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 30.5 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 3.5A |
| الحالي - التشبع: | 2.85A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCDRH6D38T125NP-5R6NC
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار