CDR33BX273BMZMAT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CDR33BX273BMZMAT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CDR33BX273BMZMAT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CDR33BX273BMZMAT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CDR33BX273BMZMAT
- رقم القطعة:
- CDR33BX273BMZMAT
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- CAP CER 0.027UF 100V 20% BX 1210
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 24484 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CDR33BX273BMZMAT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 100V |
| تسامح: | ±20% |
| سمك (ماكس): | 0.049" (1.25mm) |
| معامل درجة الحرارة: | BX |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-55681, CDR33 |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 1210 (3225 Metric) |
| اسماء اخرى: | CDR33BX273BMZMAT-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount, MLCC |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| قيادي نمط: | - |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | - |
| معدل الفشل: | M (1%) |
| وصف تفصيلي: | 0.027µF ±20% 100V Ceramic Capacitor BX 1210 (3225 Metric) |
| مواسعة: | 0.027µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCDR33BX273BMZMAT
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل