CDBFR40 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CDBFR40، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CDBFR40 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CDBFR40 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CDBFR40
- رقم القطعة:
- CDBFR40
- الصانع:
- Comchip Technology
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 40V 200MA 1005
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 42732 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CDBFR40.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 40mA |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 40V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1005/SOD-323F |
| سرعة: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 5ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 1005 (2512 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 125°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف تفصيلي: | Diode Schottky 40V 200mA Surface Mount 1005/SOD-323F |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 200nA @ 30V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 200mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCDBFR40
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CDBFR0520L | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA 1005 | تحقيق |
|
CDBFR0240 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA 1005 | تحقيق |
|
CDBFR70 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 70V 70MA 1005 | تحقيق |
 |
CDBGBSC20650-G | Comchip Technology | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER | تحقيق |
|
CDBFR0340 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 350MA 1005 | تحقيق |
|
CDBFR0330 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 30V 350MA 1005 | تحقيق |
|
CDBFR03100-HF | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 100V 300MA 1005 | تحقيق |
|
CDBFR0520 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA 1005 | تحقيق |
|
CDBFR0540 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA 1005 | تحقيق |
|
CDBFR54 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 1005 | تحقيق |
|
CDBGBSC201200-G | Comchip Technology | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER | تحقيق |
|
CDBFR0240-HF | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA 1005 | تحقيق |
 |
CDBH3-54S-G | Comchip Technology | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT523 | تحقيق |
|
CDBH3-54C-G | Comchip Technology | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT523 | تحقيق |
|
CDBFR43 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 1005 | تحقيق |
|
CDBFR0320 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 20V 350MA 1005 | تحقيق |
|
CDBFR42 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 1005 | تحقيق |
|
CDBGBSC101200-G | Comchip Technology | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER | تحقيق |
 |
CDBH38D18NP-R24MC-PR | Sumida Corporation | FIXED INDUCTOR SHIELDED | تحقيق |
|
CDBFR0230R-HF | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 1005 | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM