CAT5110TBI-10GT3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CAT5110TBI-10GT3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CAT5110TBI-10GT3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CAT5110TBI-10GT3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CAT5110TBI-10GT3
- رقم القطعة:
- CAT5110TBI-10GT3
- وصف:
- IC POT DGTL 10K 32TAP SOT23-6
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55803 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CAT5110TBI-10GT3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| تسامح: | ±20% |
| معامل درجة الحرارة (تيب): | 200 ppm/°C |
| تفتق: | Linear |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-6 |
| سلسلة: | - |
| المقاومة - ممسحة (أوم) (نوع): | 200 |
| المقاومة (أوم): | 10k |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | CAT5110TBI-10GT3-ND CAT5110TBI-10GT3OSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد الصنابير: | 32 |
| عدد الدوائر: | 1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | Up/Down (U/D, CS) |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | Digital Potentiometer 10k Ohm 1 Circuit 32 Taps Up/Down (U/D, CS) Interface SOT-23-6 |
| ترتيب: | Rheostat |
| رقم جزء القاعدة: | CAT5110 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCAT5110TBI-10GT3
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC