CA-301 8.0000M-C:PBFREE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CA-301 8.0000M-C:PBFREE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CA-301 8.0000M-C:PBFREE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CA-301 8.0000M-C:PBFREE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CA-301 8.0000M-C:PBFREE
- رقم القطعة:
- CA-301 8.0000M-C:PBFREE
- الصانع:
- Epson
- وصف:
- CRYSTAL 8.0000MHZ 18PF T/H
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38625 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | MHz Crystal |
| حجم / البعد: | 0.122" Dia x 0.350" L (3.10mm x 8.90mm) |
| سلسلة: | CA-301 |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Cylindrical Can, Radial |
| اسماء اخرى: | 823422 CA-301 8.0000M-C PBFREE CA-301 8.0000M-C: PB FREE CA-301 8.0000M-CPBFREE CA-3018.0000M-CPBFREE CA-3018.000M-C:PBFREE CA-3018.000M-C:PBFREE-ND CA3018.0000MC:PBFREE CA30180000MCPBFREE Q21CA3011014000 SER3414 |
| درجة حرارة التشغيل: | -20°C ~ 70°C |
| وضع التشغيل: | Fundamental |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| تحميل السعة: | 18pF |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.350" (8.90mm) |
| التسامح تردد: | ±30ppm |
| تردد الاستقرار: | ±30ppm |
| تردد: | 8MHz |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 80 Ohms |
| وصف تفصيلي: | 8MHz ±30ppm Crystal 18pF 80 Ohms Cylindrical Can, Radial |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCA-301 8.0000M-C:PBFREE
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة