C4540H104JBGACT050 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل C4540H104JBGACT050، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل C4540H104JBGACT050 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء C4540H104JBGACT050 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
C4540H104JBGACT050
- رقم القطعة:
- C4540H104JBGACT050
- الصانع:
- KEMET
- وصف:
- CAP CER 0.1UF 630V C0G/NP0 4540
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 30321 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- C4540H104JBGACT050.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 630V |
| تسامح: | ±5% |
| سمك (ماكس): | 0.106" (2.70mm) |
| معامل درجة الحرارة: | C0G, NP0 |
| حجم / البعد: | 0.449" L x 0.402" W (11.40mm x 10.20mm) |
| سلسلة: | HV-HT |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard SMD |
| اسماء اخرى: | 399-13519-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 200°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount, MLCC |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| قيادي نمط: | - |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | Low ESL, High Voltage, High Temperature |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 0.1µF ±5% 630V Ceramic Capacitor C0G, NP0 Nonstandard SMD |
| مواسعة: | 0.1µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لC4540H104JBGACT050
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
C4532Y5V1H106Z | TDK Corporation | CAP CER 10UF 50V Y5V 1812 | تحقيق |
 |
C45E | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 50A 500V TO-83 | تحقيق |
|
C4532Y5V1C476Z | TDK Corporation | CAP CER 47UF 16V Y5V 1812 | تحقيق |
|
C45C | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 50A 300V TO-83 | تحقيق |
 |
C4540H563KGGWCT050 | KEMET | CAP CER 0.056UF 2KV C0G/NP0 4540 | تحقيق |
|
C4532X7T2W474M230KA | TDK Corporation | CAP CER 0.47UF 450V X7T 1812 | تحقيق |
|
C4540H683KGGWCT050 | KEMET | CAP CER 0.068UF 2KV C0G/NP0 4540 | تحقيق |
|
C4532Y5V1E226Z | TDK Corporation | CAP CER 22UF 25V Y5V 1812 | تحقيق |
 |
C4540C104JBGACAUTO | KEMET | CAP CER 0.1UF 630V C0G/NP0 4540 | تحقيق |
|
C4532Y5V1A107Z/3 | TDK Corporation | CAP CER 100UF 10V Y5V 1812 | تحقيق |
|
C4532X7T2W474M230KE | TDK Corporation | CAP CER 0.47UF 450V X7T 1812 | تحقيق |
|
C4532Y5V1A107Z | TDK Corporation | CAP CER 100UF 10V Y5V 1812 | تحقيق |
|
C45D | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 50A 400V TO-83 | تحقيق |
|
C45H | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 50A 250V TO-83 | تحقيق |
 |
C4540H683JDGACT050 | KEMET | CAP CER 0.068UF 1KV C0G/NP0 4540 | تحقيق |
|
C4540H183KVGWCT050 | KEMET | CAP CER 0.018UF 3.5KV NP0 4540 | تحقيق |
|
C4540C683JDGACAUTO | KEMET | CAP CER 0.068UF 1KV C0G/NP0 4540 | تحقيق |
|
C45M | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 50A 600V TO-83 | تحقيق |
|
C4540H273KHGWCT050 | KEMET | CAP CER 0.027UF 3KV C0G/NP0 4540 | تحقيق |
|
C4540C154JCGACAUTO | KEMET | CAP CER 0.15UF 500V C0G NONSTND | تحقيق |
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC