C2012C0G1H562J/0.85 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل C2012C0G1H562J/0.85، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل C2012C0G1H562J/0.85 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء C2012C0G1H562J/0.85 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
C2012C0G1H562J/0.85
- رقم القطعة:
- C2012C0G1H562J/0.85
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- CAP CER 5600PF 50V C0G 0805
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 37726 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.C2012C0G1H562J/0.85.pdf2.C2012C0G1H562J/0.85.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 50V |
| تسامح: | ±5% |
| سمك (ماكس): | 0.030" (0.75mm) |
| معامل درجة الحرارة: | C0G, NP0 |
| حجم / البعد: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| سلسلة: | C |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 0805 (2012 Metric) |
| اسماء اخرى: | 445-2684-2 445-7514-2 445-7514-2-ND C2012C0G1H562J C2012C0G1H562JT C2012C0G1H562JT0J0N C2012COG1H562J |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount, MLCC |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| قيادي نمط: | - |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | - |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 5600pF ±5% 50V Ceramic Capacitor C0G, NP0 0805 (2012 Metric) |
| مواسعة: | 5600pF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لC2012C0G1H562J/0.85
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل