C165LM3VHAFXUMA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل C165LM3VHAFXUMA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل C165LM3VHAFXUMA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء C165LM3VHAFXUMA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
C165LM3VHAFXUMA1
- رقم القطعة:
- C165LM3VHAFXUMA1
- وصف:
- IC MCU 16BIT ROMLESS 100MQFP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27226 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- C165LM3VHAFXUMA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 3 V ~ 3.6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | P-MQFP-100 |
| سرعة: | 20MHz |
| سلسلة: | C16xx |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 2K x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | ROMless |
| برنامج حجم الذاكرة: | - |
| الأجهزة الطرفية: | POR, PWM, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 100-BQFP |
| اسماء اخرى: | C165LM3VHAFAUMA1 C165LM3VHAFXUMA1TR F165LM3VHAXT SAF-C165-LM 3V HA SAF-C165-LM3VHA SAF-C165-LM3VHAINTR SAF-C165-LM3VHAINTR-ND SAF-C165-LM3VHATR SAF-C165-LM3VHATR-ND SAFC165LM3VHAXT SP000011635 |
| نوع مذبذب: | External |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 77 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | - |
| وصف تفصيلي: | C166 C16xx Microcontroller IC 16-Bit 20MHz ROMless P-MQFP-100 |
| محولات البيانات: | - |
| الحجم الأساسية: | 16-Bit |
| النواة: | C166 |
| الاتصال: | EBI/EMI, SPI, UART/USART |
| رقم جزء القاعدة: | SA*C165 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لC165LM3VHAFXUMA1
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي