BZX85C5V1-TAP متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BZX85C5V1-TAP، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BZX85C5V1-TAP عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BZX85C5V1-TAP مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BZX85C5V1-TAP
- رقم القطعة:
- BZX85C5V1-TAP
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- DIODE ZENER 5.1V 1.3W DO41
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55354 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BZX85C5V1-TAP.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - زينر (الإسمي) (فز): | 5.1V |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-41 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| السلطة - ماكس: | 1.3W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Box (TB) |
| حزمة / كيس: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| اسماء اخرى: | BZX85C5V1-TAP-ND BZX85C5V1-TAPGITB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 47 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 10 Ohms |
| وصف تفصيلي: | Zener Diode 5.1V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1µA @ 1.5V |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBZX85C5V1-TAP
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار