BZX84C5V6LT3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BZX84C5V6LT3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BZX84C5V6LT3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BZX84C5V6LT3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BZX84C5V6LT3
- رقم القطعة:
- BZX84C5V6LT3
- وصف:
- DIODE ZENER 5.6V 225MW SOT23-3
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 34162 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BZX84C5V6LT3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - زينر (الإسمي) (فز): | 5.6V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 900mV @ 10mA |
| تسامح: | ±7% |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-3 (TO-236) |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 225mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 40 Ohms |
| وصف تفصيلي: | Zener Diode 5.6V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1µA @ 2V |
| رقم جزء القاعدة: | BZX84C5V6 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBZX84C5V6LT3
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار