BZX84C3V9 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BZX84C3V9، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BZX84C3V9 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BZX84C3V9 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BZX84C3V9
- رقم القطعة:
- BZX84C3V9
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- DIODE ZENER 3.9V 350MW SOT23-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43913 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.BZX84C3V9.pdf2.BZX84C3V9.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 90 Ohm |
| الجهد - انهيار: | SOT-23-3 (TO-236) |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| السلطة - ماكس: | 350mW |
| الاستقطاب: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | BZX84C3V9-ND BZX84C3V9FSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BZX84C3V9 |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 3.9V |
| وصف موسع: | Zener Diode 350mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±5% |
| تكوين الصمام الثنائي: | 5µA @ 1V |
| وصف: | DIODE ZENER 3.9V 350MW SOT23-3 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 900mV @ 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBZX84C3V9
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار