BZX84C3V3ET3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BZX84C3V3ET3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BZX84C3V3ET3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BZX84C3V3ET3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BZX84C3V3ET3
- رقم القطعة:
- BZX84C3V3ET3
- وصف:
- DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 21904 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BZX84C3V3ET3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 95 Ohm |
| الجهد - انهيار: | SOT-23-3 (TO-236) |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| السلطة - ماكس: | 225mW |
| الاستقطاب: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BZX84C3V3ET3 |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 3.3V |
| وصف موسع: | Zener Diode 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±6% |
| تكوين الصمام الثنائي: | 5µA @ 1V |
| وصف: | DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 900mV @ 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBZX84C3V3ET3
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل