BZV55C3V6-TP متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BZV55C3V6-TP، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BZV55C3V6-TP عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BZV55C3V6-TP مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BZV55C3V6-TP
- رقم القطعة:
- BZV55C3V6-TP
- وصف:
- DIODE ZENER 3.6V 500MW MINIMELF
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43005 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BZV55C3V6-TP.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 85 Ohm |
| الجهد - انهيار: | Mini MELF |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Digi-Reel® |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| الاستقطاب: | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| اسماء اخرى: | BZV55C3V6-TPMSDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BZV55C3V6-TP |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 3.6V |
| وصف موسع: | Zener Diode 500mW ±6% Surface Mount Mini MELF |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±6% |
| تكوين الصمام الثنائي: | 2µA @ 1V |
| وصف: | DIODE ZENER 3.6V 500MW MINIMELF |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.5V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBZV55C3V6-TP
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي