BZG05C4V7-E3-TR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BZG05C4V7-E3-TR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BZG05C4V7-E3-TR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BZG05C4V7-E3-TR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BZG05C4V7-E3-TR
- رقم القطعة:
- BZG05C4V7-E3-TR
- الصانع:
- وصف:
- DIODE ZENER 4.7V 1.25W DO214AC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28431 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BZG05C4V7-E3-TR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 13 Ohm |
| الجهد - انهيار: | DO-214AC |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| السلطة - ماكس: | 1.25W |
| الاستقطاب: | DO-214AC, SMA |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BZG05C4V7-E3-TR |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 4.7V |
| وصف موسع: | Zener Diode 1.25W ±5% Surface Mount DO-214AC |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±5% |
| تكوين الصمام الثنائي: | 3µA @ 1V |
| وصف: | DIODE ZENER 4.7V 1.25W DO214AC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.2V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBZG05C4V7-E3-TR
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM