BYC8DX-600,127 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BYC8DX-600,127، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BYC8DX-600,127 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BYC8DX-600,127 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BYC8DX-600,127
- رقم القطعة:
- BYC8DX-600,127
- الصانع:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47663 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BYC8DX-600,127.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 8A |
| الجهد - انهيار: | TO-220F |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| اسماء اخرى: | 1740-1452 568-9770-5 568-9770-5-ND 934065034127 BYC8DX-600,127-ND BYC8DX-600127 BYC8DX600127 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 20ns |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BYC8DX-600,127 |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220F |
| تكوين الصمام الثنائي: | 40µA @ 600V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 2.9V @ 8A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 600V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBYC8DX-600,127
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي