BUK9K30-80EX متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BUK9K30-80EX، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BUK9K30-80EX عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BUK9K30-80EX مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BUK9K30-80EX
- رقم القطعة:
- BUK9K30-80EX
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D
- كمية المخزون:
- 30272 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BUK9K30-80EX.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.1V @ 1mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | LFPAK56D |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 26 mOhm @ 5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 53W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| اسماء اخرى: | 1727-7407-2 934660019115 BUK9K30-80EX-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2297pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17.5nC @ 5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 80V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 17A (Ta) 53W Surface Mount LFPAK56D |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 17A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBUK9K30-80EX
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK9K18-40E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D | تحقيق |
|
BUK9K89-100E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D | تحقيق |
 |
BUK9K22-80EX | Nexperia | MOSFET 2 N-CH 80V 21A LFPAK56D | تحقيق |
|
BUK9K5R1-30EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK | تحقيق |
|
BUK9K5R6-30EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK | تحقيق |
|
BUK9K45-100E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D | تحقيق |
 |
BUK9K29-100E/CX | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH LFPAK | تحقيق |
|
BUK9K6R8-40EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK | تحقيق |
|
BUK9K12-60EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 35A 56LFPAK | تحقيق |
|
BUK9K17-60EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 26A 56LFPAK | تحقيق |
|
BUK9K35-60E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D | تحقيق |
|
BUK9K32-100EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 26A 56LFPAK | تحقيق |
|
BUK9K52-60E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D | تحقيق |
|
BUK9K20-80EX | Nexperia | MOSFET 2 N-CH 80V 23A LFPAK56D | تحقيق |
|
BUK9K13-60EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56 | تحقيق |
|
BUK9K6R2-40E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D | تحقيق |
|
BUK9K134-100EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 8.5A 56LFPAK | تحقيق |
|
BUK9K25-40EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V 18.2A 56LFPAK | تحقيق |
|
BUK9K8R7-40EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK | تحقيق |
|
BUK9K29-100E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل