BUK7M45-40EX متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BUK7M45-40EX، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BUK7M45-40EX عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BUK7M45-40EX مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BUK7M45-40EX
- رقم القطعة:
- BUK7M45-40EX
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET N-CH 40V MLFPAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43675 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BUK7M45-40EX.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | LFPAK33 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 45 mOhm @ 5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 31W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
| اسماء اخرى: | 1727-2563-2 568-13007-2 568-13007-2-ND 934070089115 BUK7M45-40E,115 BUK7M45-40EX-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 317pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.2nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 40V 19A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount LFPAK33 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBUK7M45-40EX
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK7M22-80EX | Nexperia | MOSFET N-CH 80V MLFPAK | تحقيق |
 |
BUK7Y10-30B,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK | تحقيق |
|
BUK7M12-60EX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33 | تحقيق |
|
BUK7M27-80EX | Nexperia | MOSFET N-CH 80V MLFPAK | تحقيق |
|
BUK7M21-40EX | Nexperia | MOSFET N-CH 40V MLFPAK | تحقيق |
|
BUK7M33-60EX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 24A LFPAK33 | تحقيق |
|
BUK7Y07-30B,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK | تحقيق |
|
BUK7Y08-40B/C,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK | تحقيق |
|
BUK7Y08-40B,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK | تحقيق |
|
BUK7M15-60EX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V MLFPAK | تحقيق |
|
BUK7M6R3-40EX | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33 | تحقيق |
|
BUK7M67-60EX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V MLFPAK | تحقيق |
|
BUK7M9R9-60EX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V MLFPAK | تحقيق |
 |
BUK7M8R0-40EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V MLFPAK | تحقيق |
|
BUK7M42-60EX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V MLFPAK | تحقيق |
|
BUK7Y102-100B,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK | تحقيق |
|
BUK7M12-40EX | Nexperia | MOSFET N-CH 40V MLFPAK | تحقيق |
|
BUK7M19-60EX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V MLFPAK | تحقيق |
|
BUK7M17-80EX | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 43A LFPAK33 | تحقيق |
|
BUK7Y113-100EX | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة