BUK7J1R4-40HX متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BUK7J1R4-40HX، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BUK7J1R4-40HX عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BUK7J1R4-40HX مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BUK7J1R4-40HX
- رقم القطعة:
- BUK7J1R4-40HX
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
- كمية المخزون:
- 30470 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BUK7J1R4-40HX.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.6V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | +20V, -10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | LFPAK56, Power-SO8 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 395W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SOT-1023, 4-LFPAK |
| اسماء اخرى: | 1727-7419-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 8155pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 126nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 40V 120A (Ta) 395W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 120A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBUK7J1R4-40HX
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK7K29-100EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56 | تحقيق |
|
BUK7K18-40EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V 24.2A LFPAK | تحقيق |
 |
BUK7E4R3-75C,127 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK | تحقيق |
|
BUK7E3R1-40E,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK | تحقيق |
|
BUK7K12-60EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK | تحقيق |
 |
BUK7J1R0-40HX | Nexperia | BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS | تحقيق |
|
BUK7K13-60EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56 | تحقيق |
|
BUK7K134-100EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 9.8A LFPAK56 | تحقيق |
 |
BUK7K15-80EX | Nexperia | MOSFET 2 N-CH 80V 23A LFPAK56D | تحقيق |
|
BUK7K17-80EX | Nexperia | MOSFET 2 N-CH 80V 21A LFPAK56D | تحقيق |
|
BUK7E5R2-100E,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK | تحقيق |
|
BUK7K23-80EX | Nexperia | MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D | تحقيق |
|
BUK7E3R5-60E,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | تحقيق |
|
BUK7K25-40E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D | تحقيق |
|
BUK7E2R7-30B,127 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK | تحقيق |
|
BUK7E2R6-60E,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | تحقيق |
|
BUK7E4R0-80E,127 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK | تحقيق |
|
BUK7K17-60EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 30A 56LFPAK | تحقيق |
|
BUK7E4R6-60E,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK | تحقيق |
|
BUK7E8R3-40E,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC